集成电路科学与工程学院（示范性微电子学院）
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| 导师代码： |
21277
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| 导师姓名： |
邓高强
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| 性 别： |
男 |
| 特 称： |
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| 职 称： |
副教授
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| 学 位： |
工学博士学位
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| 属 性： |
专职 |
| 电子邮件： |
gqdeng@uestc.edu.cn
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| 学术经历：
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2011.09 - 2015.09 电子科技大学 微电子学 本科
2019.09 - 2020.09 多伦多大学 （University of Toronto）, 国家公派联合培养博士生
2015.09 - 2021.06 电子科技大学 微电子学与固体电子学 博士
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| 个人简介：
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副教授，硕士生导师，本科和博士毕业于电子科技大学，多伦多大学公派联合培养博士。主要从事功率器件及其应用技术的研究。主持/参与国家自然科学基金青年项目、面上项目、区域联合基金重点项目、省市自然科学基金、预研项目、横向项目等，在IEEE EDL、IEEE T-ED、IEEE ISPSD等知名期刊和会议发表论文30余篇，以第一完成人荣获主流国际学术会议（PCIM Asia 2020）唯一最佳论文奖，获奖新闻被教育部中国教育发布网、电子科技大学新闻网主页报导。（更新于2024年9月）
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| 科研项目：
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国家自然科学基金青年项目，宽安全工作区低损耗IGBT机理与新结构研究，2024/01-2026/12, 在研
湖南省自然科学基金青年项目，宽安全工作区IGBT机理与设计方法研究，2023/01-2025/12,在研
国家自然科学基金区域创新发展联合基金重点项目，高性能高可靠性绝缘栅双极型晶体管的理论模型与设计方法研究，2022/01-2025/12, 在研
国家自然科学基金区域创新发展联合基金重点项目，新型高阈值电压GaN电力电子器件模型与关键技术研究，2020/01-2024/12, 在研
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| 研究成果：
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1.Gaoqiang Deng, Jun Wang, Xuanting Song, Yang Gao, Shiwei Liang, Xiaojun Xu, Modelling the 3-D Charge-Sharing in Field-Plate Power MOSFETs with Circular Layouts, IEEE Transactions on Electron Devices, vol 71, no 3, pp.1752-1757, March 2024.
2.Yifan Wu, Gaoqiang Deng？, Chen Tan, Shiwei Liang, and Jun Wang, Improving dynamic characteristics for IGBTs by using interleaved trench gate. Chinese Physics B, vol 32, no 12, pp.128503(1)- 128503(5), December 2023.
3.Gaoqiang Deng, Jun Wang, Yifan Wu, Chen Tan, Shiwei Liang, 3-D Segmented Gate Concept: A New IGBT Solution for Reduced Loss and Improved Safe-Operating Area, IEEE Transactions on Electron Devices, vol 70, no 6, pp.3172-3178, June 2023.
4.Gaoqiang Deng, Zhen Ma, Xiaorong Luo, Xintong Xie, Congcong Li, Wai Tung Ng, A Novel IGBT with Voltage-Clamping for Turn-on Overshoot Suppression Under Hard-Switching, IEEE Transactions on Electron Devices, vol 68, no 10, pp.5326-5329, October 2021.
5.Gaoqiang Deng, Weijia Zhang, Jingyuan Liang, Rophina Li, Namjee Kim, Wai Tung Ng, Xiaorong Luo, Fred Fu，Thermal Management for Buck Converters Using Co-Packaged GaN Power HEMTs，19th Exhibition and Conference for Power Electronics, Intelligent Motion, Renewable Energy, and Energy Management (PCIM Asia), pp.190-195, Nov 16-18, 2020. (Best Paper Award)
6.Gaoqiang Deng, Xiaorong Luo, Zheyan Zhao, Jie Wei, Shikang Cheng, Congcong Li, Zhen Ma, Bo Zhang, Sen Zhang, Experimental Study of 600 V Accumulation-Type Lateral Double-Diffused MOSFET With Ultra-Low On-Resistance, IEEE Electron Device Letters, vol 41, no 3, pp.465-468, March 2020.
7.Gaoqiang Deng, Xiaorong Luo, Tao Sun, Zheyan Zhao, Diao Fan, Bo Zhang, An Injection Enhanced LIGBT on Thin SOI Layer Compatible With CMOS Process, IEEE Transactions on Electron Devices, vol 66, no 6, pp.2681-2685, June 2019.
8.Gaoqiang Deng, Xiaorong Luo, Jie Wei, Kun Zhou, Linhua Huang, Tao Sun, Qing Liu, and Bo Zhang, A Snapback-Free Reverse Conducting Insulated-Gate Bipolar Transistor with Discontinuous Field-Stop Layer, IEEE Transactions on Electron Devices, vol 65, no 5, pp.1856-1861, May 2018.
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| 专业研究方向：
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| 专业名称 |
研究领域/方向 |
招生类别 |
| 140100集成电路科学与工程 |
02功率半导体与集成技术 |
硕士学术学位 |
| 085403集成电路工程 |
02功率半导体与集成技术 |
硕士专业学位 |
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