电子科学与工程学院


 
导师代码: 20691
导师姓名: 易波
性    别:
特    称:
职    称: 副教授
学    位: 工学博士学位
属    性: 专职
电子邮件: yb@uestc.edu.cn

学术经历:   担任行业顶级期刊IEEE Transactions on Power Electronics, IEEE Transactions on Electron Devices, IEEE Electron Device Letters等期刊的审稿人,担任国际会议TPC Member等。

个人简介:   2008.09-2012.06 — 电子科技大学 — 学士 — 微电子学; 2012.09-2016.12 — 电子科技大学 — 博士 — 微电子学与固体电子学—导师—中国功率器件领路人陈星弼院士; 2017.02-2021-04 — 微电子与固体电子学院/电子科学与工程学院 讲师; 2021.05-至今 — 电子科学与工程学院 副教授; 2020.02-2021.02 — 加拿大 — 多伦多大学 国家公派访问学者;

科研项目:   主要研究新型功率半导体芯片,包括宽禁带半导体器件 (SiC JBS, SiC MOSFET, GaN HEMT, Ga2O3) 以及硅基IGBT,SGT,功率MOSFET等。主持和参与国家级、省部级、校企项目10余项,包括: 作为负责人主持国家自然科学基金项目一项; 作为负责人主持国家博士后面上基金项目一项; 作为负责人主持省部级项目一项; 作为负责人主持中央高校基本科研业务费项目一项; 主持校企合作课题4项; 作为主要参与者承担国家级、省部级项目三项; 参与其他国家级项目多项; 参与其他省部级项目多项;

研究成果:   学生培养: 指导本科生申请大学生校级创新项目多项,项目获韫慧奖学金、校级优秀。 指导本科生发表学生一作SCI论文、IEEE国际会议多篇,申请中国发明专利多项; 指导多名硕士研究生毕业,指导的学生获学业一等奖学金、中国宋庆龄基金会·中芯国际孟宁奖学金、获得“校级优秀研究生”和“优秀学位论文”。 学术研究: 在国际顶级期刊IEEE Transactions on Power Electronics (中科院1区), IEEE Electron Device Letters, IEEE Transactions on Electron Devices, Semiconductor Science and Technology等发表SCI论文40余篇,在国际顶级会议IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), IEEE International Conference on Power Electronics and Drive Systems (PEDS), IEEE International Conference on ASIC (IEEE ASICON)等发表EI国际会议10余篇,并多次在国际会议做口头学术报告。申请第一发明人中国发明专利20余项,授权17项,专利受业界关注,并实施转让、许可8项。 部分第一作者学术论文: [1] B. Yi, Y. Xu, J. J. Cheng, H. M. Huang, M. F. Kong and H. Q. Yang, “Investigation of a Novel Enhancement-Mode Al0.25Ga0.75N/AlN/AlxGa(1?x)N GaN MIS-HEMT for High Vth and Low Ron,sp,” IEEE Trans. Electron Devices, 2023, vol. 70, no. 7, pp. 3704-3710. [2] B. Yi, Y. Xu, L. T. Zheng, J. J. Cheng, H. M. Huang, M. F. Kong and H. Q. Yang, “Modeling and simulation of an insulated-gate HEMT using p-SnO2 gate for high VTH design,” Microelectronics Journal, 139, 105895, 2023. [3] B. Yi, S. Zhang, Z. Zhang, J. J. Cheng, H. M. Huang, M. F. Kong and H. Q. Yang, “Analytical model and simulation study of a novel enhancement-mode Ga2O3 MISFET realized by p-GaN gate,” Semiconductor Science and Technology, Vol. 38, no. 9, Jul. 2023. [4] B. Yi, Z. Wu, J. J. Cheng, H. M. Huang, W. J. Zhang and W. T. Ng, “Simulation Study of a p-GaN HEMT With an Integrated Schottky Barrier Diode,” IEEE Trans. Electron Devices, 2021, vol. 68, no. 12, pp. 6039-6045. [5] B. Yi, Z. Wu, Q. Zhang, et al, A low loss single-channel SiC trench MOSFET with integrated trench MOS barrier Schottky diode, Semiconductor Science and Technology, Jul. 2021, 36(7): 075006. [6] Bo Yi, Zheng Wu, Junji Cheng, HaiMeng Huang, MouFu Kong, HongQiang Yang*, A Vertical Thin Layer pLDMOS with Linear doping realizing ultra-low Ron,sp, ASICON, Oct. 2021. oral [7] Zheng Wu1, Chao Xia1, Bo Yi1*, Junji Cheng1, HaiMeng Huang1, MouFu Kong1, HongQiang Yang1, WenKun Shi2, A split-gate SiC trench MOSFET with embedded unipolar diode for improved performances, ASICON, Oct. 2021. oral [8] R. X. Chen, B. Yi*, X. B. Chen, “Trench Shielded Planar Gate IGBT (TSPG-IGBT) With Self-Biased pMOS Realizing Both Low On-State Voltage and Low Saturation Current”, IEEE Journal of the Electron Devices Society, Feb, 2020, vol. 8, pp. 195-199. [9] B. Yi, X. T. Xie, M. F. Kong et al. “A Novel Diode-Clamped Carrier Stored Trench IGBT With Improved Performances,” IEEE Transactions on Electron Devices, 2020. [10] B. Yi, J. Lin, B. Zhang, J. Cheng, Y. Xiang, “Simulation Study of a Novel Snapback Free Reverse-Conducting SOI-LIGBT With Embedded P-Type Schottky Barrier Diode, ” IEEE Transactions on Electron Devices, 67(5), 2020, pp. 2058-2065. [11] B. Yi, J. Lin, H. Hu et al. “Simulation Study of a Novel Thin layer SOI Carrier-Stored TLIGBT with self-biased pMOS”, Semiconductor Science and Technology, vol. 34,no. 11, Oct. 2019. Grant. 61804021. [12] B. Yi, J. Lin, J. Y. Wu et al. “An Novel Thin Layer SOI Carrier-Stored Trench LIGBT with Enhanced Emitter Injection”, IEEE Journal of the Electron Devices Society, vol. 7, no. 1, pp. 936-942, 2019. Grant. 61804021. [13] B. Yi, M. F. Kong, J. Lin, J. J. Cheng, H. M. Huang and X. B. Chen, “A 600 V Super-Junction p-LDMOS with Auto-controlled Electron Current to Enhance Current Capability,” IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 66, no. 5, pp. 2314 - 2320, 2019. Grant. 61804021. [14] B. Yi, H. Hu, J. Lin, et al. “SiC trench MOSFET with integrated side-wall schottky barrier diode having P+ electric field shield,” IEICE Electronics Express, vol. 16, no. 5, pp. 1-10, 2019. Grant. 61804021. 2018及以前: [15] B. Yi, J. J. Cheng and X. B. Chen, “A High-voltage “Quasi-p-LDMOS” using Electrons as Carriers in Drift Region Applied for SPIC,” IEEE Trans. on Power Electronics, vol. 33, no. 4, pp. 3363 – 3374, 2018. [16] B. Yi, M. F. Kong, J. J. Cheng, “Simulation Study of a p-LDMOS with Double Electron Paths to Enhance Current Capability,” IEEE Electron Device Letters, vol. 39, no. 11, pp. 1700 – 1703, 2018. Grant. 61804021. [17] B. Yi and X. Chen, “A 300 V Ultra Low Specific On-Resistance High-Side p-LDMOS with Auto-biased n-LDMOS for SPIC,” IEEE Trans. on Power Electronics, vol. 32, no. 1, pp. 551-560, 2017. [18] B. Yi, J. J. Cheng, M. F. Kong and X. B. Chen, “A High-Voltage p-LDMOS with Enhanced Current Capability Comparable to Double RESURF n-LDMOS,” in Proc. ISPSD, pp. 148-151, May. 2018.

专业研究方向:
专业名称 研究方向 招生类别


学院列表
01  信息与通信工程学院
02  电子科学与工程学院
03  材料与能源学院
04  机械与电气工程学院
05  光电科学与工程学院
06  自动化工程学院
07  资源与环境学院
08  计算机科学与工程学院(网络空间安全学院)
09  信息与软件工程学院(示范性软件学院)
10  航空航天学院
11  数学科学学院
12  物理学院
13  医学院
14  生命科学与技术学院
15  经济与管理学院
16  公共管理学院
17  外国语学院
18  马克思主义学院
21  基础与前沿研究院
22  通信抗干扰全国重点实验室
23  电子科学技术研究院
28  电子科技大学(深圳)高等研究院
31  集成电路科学与工程学院(示范性微电子学院)
90  智能计算研究院