材料与能源学院
|
|
|
|
| 导师代码： |
20398
|
| 导师姓名： |
刘冬华
|
| 性 别： |
女 |
| 特 称： |
|
| 职 称： |
副研究员
|
| 学 位： |
理学博士学位
|
| 属 性： |
专职 |
| 电子邮件： |
dhliu
@
uestc.edu.cn
|
|
|
| 学术经历：
|
|
|
|
| 个人简介：
|
|
刘冬华，女，博士，特聘副研究员。2013年1月博士毕业于中国科学院大学。2014-2017年在复旦大学高分子科学系从事博士后研究工作。2020年9月加入电子科技大学。主要从事低维纳米材料的可控生长以及物性研究等。发表SCI论文20余篇，其中以第一作者发表 Nature Communications (2篇)，carbon (1篇)、Advanced Electronic Materials(1篇)、 Nanotechnology(1篇)等；其它合作参与的重要论文包括：Advanced Science(1 篇)、Physical Review Letters (1 篇)、Advanced Materials (2 篇)、ACS Nano(3 篇)、Nano Research(2篇)等。总引用大于1000次
|
|
| 科研项目：
|
|
|
|
| 研究成果：
|
|
1. Donghua Liu, Xiaosong Chen, Ying Zhang, Dingguan Wang, Yan Zhao, Huisheng Peng, Yunqi Liu, Xiangfan Xu,* Andrew Thye Shen Wee, and Dacheng Wei.* Graphene Field-Effect Transistors on Hexagonal-Boron Nitride for Enhanced Interfacial Thermal Dissipation. Advanced Electron Materials, 2000059 (2020).
2. Donghua Liu, Xiaosong Chen, Yaping Yan, Zhongwei Zhang, Zhepeng Jin, Kongyang Yi,Cong Zhang, Yujie Zheng, Yao Wang, Jun Yang, Xiangfan Xu, Jie Chen, Yunhao Lu, Dapeng Wei, Andrew Thye Shen Wee，Dacheng Wei.* Conformal hexagonal-boron nitride dielectric interface for tungsten diselenide devices with improved mobility and thermal dissipation. Nature Communications 10, 1188 (2019).
3. Donghua Liu, Xiaosong Chen, Yibin Hu, Tai Sun, Zhibo Song, Yujie Zheng, Yongbin Cao, Zhi Cai, Min Cao, Lan Peng, Yuli Huang, Lei Du, Wuli Yang, Gang Chen, Dapeng Wei, Andrew Thye Shen Wee, Dacheng Wei.* Raman enhancement on ultra-clean graphene quantum dots produced by quasi-equilibrium plasma-enhanced chemical vapor deposition. Nature Communications 9, 193 (2018).
4. Donghua Liu, Wei Yang, Lianchang Zhang, Jing Zhang, Jianling Meng, Rong Yang, Guangyu Zhang, Dongxia Shi.* Two-step growth of graphene with separate controlling nucleation and edge growth directly on SiO2 substrates. Carbon 26, 3478 (2014).
5. Donghua Liu, Zhiwen Shi, Lianchang Zhang, Congli He, Jing Zhang, Meng Cheng, Rong Yang, Xuezeng Tian, Xuedong Bai, Dongxia Shi, Guangyu Zhang.* Reducing the contact resistance of SiNW devices by employing a heavily doped carrier injection layer Nanotechnology 23, 305701 (2012).
授权专利
1. 刘冬华， 张广宇，时东霞， 一种半导体纳米材料器件及其制作方法2016.05.25 中国 ZL201110455639.5.
2. 魏大程， 刘冬华，王振； 李孟林， 一种拉曼增强衬底的制作方法, 2019.10.15 中国 ZL201610533715.2
3. 魏大程， 刘冬华， 李孟林， 夏冬云， 曹敏，一种等离子体化学气相沉积设备生长六方氮化硼,2018.12.11 中国 ZL201610002671.0
4. 魏大程，金哲鹏，刘冬华，蔡智，一种电子器件介电衬底的表面修饰方法,2017.5.20,中国 ZL201710360173.8
|
|
| 专业研究方向：
|
|
| 专业名称 |
研究方向 |
招生类别 |
| 080500材料科学与工程 |
01电子功能材料及器件 |
硕士 |
| 080500材料科学与工程 |
04低维电子材料 |
硕士 |
|
|
|
|
|
|
