电子科技大学（深圳）高等研究院
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| 导师代码： |
11573
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| 导师姓名： |
张有润
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| 性 别： |
男 |
| 特 称： |
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| 职 称： |
副教授
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| 学 位： |
工学博士学位
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| 属 性： |
专职 |
| 电子邮件： |
yrzhang@uestc.edu.cn
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| 学术经历：
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现为 电子科技大学集成电路科学与工程学院 副教授
2013.07-2014.07 多伦多大学博士后
2010.06-2013.07 电子科技大学微电子与固体电子学院 讲师
2005.09-2010.03 电子科技大学微电子与固体电子学院 获工学博士学位
1998.09-2005.06 电子科技大学光电信息学院 获工学学士、硕士学位
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| 个人简介：
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主要从事
1. 第三代半导体碳化硅芯片、可靠性、驱动芯片及模块封装技术的研究 2. 光电集成电路芯片的研究。先后主持或参加了国家重点研发计划、国家级挑战计划、国家重大基础研究项目(973项目)、国家自然科学基金重点和面上项目、校企研发等多项科研项目。在国内外学术期刊和会议上发表数十篇学术论文,担任IEEE TED等知名刊物的审稿人。申请国家发明专利数十项，并已获授权二十余项。
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| 科研项目：
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1 国家自然科学基金面上项目，2025-2028年，在研，主持
2 稳定支持项目（国家级），高速光电转换处理芯片技术研究，2019-2022，主持
3 国家重点研发计划，“中低压SiC材料、器件及其在电动汽车充电设备中的应用示范”，2016/07-2021/06，主持
4 国家重点研发计划，“车用高温大电流SiC芯片研发”，2017/07-2021/06，主持
5 科学挑战专题-“XX下集成微系统的基础科学技术问题”（国家级），2018/01-2021/12，主持
其他主持或主研的科研项目：
校企联合研究中心及合作项目 “先进碳化硅MOSFET器件”，2024-2027， 项目负责人
重大科技专项横向合作“高速硅基探测器集成电路”；
日本罗姆公司的国际合作项目；
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| 研究成果：
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近年来发表文章如下，本人为第一或通讯作者
1. Investigation of Heavy-Ions-Induced Leakage Current Modes and Degradation Mechanism in SiC MOSFETs Under Complex Heavy Ion Conditions[J]. IEEE Transactions on Electron Devices, doi: 10.1109/TED.2024.3456783
2. Investigation of Total Ionizing Dose Radiation Effects on SiC MOSFETs by Modulating the Nitrogen Content in Gate Oxide Processing[C]. 2024 36th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), Bremen, 2024: 96-99.
3. Study of leakage current degradation based on stacking faults expansion in irradiated SiC junction barrier Schottky diodes[J]. Chinese Physics B, 2024, 33(10): 108401.
4. Novel design and modelling of SiC junction barrier Schottky diode with improved Baliga FOM under high-temperature applications[J]. Microelectronics Journal, 2024, 151: 106343
5. Design and modelling of SiC MPS diodes with superior surge current robustness[J]. Microelectronics Journal, 2024, 151: 106298.
6. Integrated Lateral SBD Temperature Sensor of a 4H-SiC VDMOS for Real-Time Temperature Monitoring, IEEE Transactions on Electron Devices, 2023, 70(7): 3813-3819
7. Investigation and Modeling of the Avalanche Failure Mechanism of 1.2-kV 4H-SiC JMOS, IEEE Transactions on Electron Devices, 2021, 68(12): 6313-6320
8. Investigating the Failure Mechanism of Short-Circuit Tests in 1.2-kV SiC JBS Integrated MOSFETs, IEEE Transactions on Electron Devices, 2020.10, 67(10): 4027-4032
9. A novel 3.3 kV 4H-SiC trench PiN with enhanced conductance modulation effect, Semiconductor Science and Technology, 2022, 37(7): 075017-6pp
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| 专业研究方向：
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| 专业名称 |
研究领域/方向 |
招生类别 |
| 085400电子信息 |
05电子信息材料与元器件（非全） |
硕士专业学位 |
| 085403集成电路工程 |
01微电子器件与集成电路 |
硕士专业学位 |
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