深圳高等研究院


 
导师代码: 10755
导师姓名: 罗小蓉
性    别:
特    称:
职    称: 教授
学    位: 工学博士学位
属    性: 专职
电子邮件: xrluo @ uestc.edu.cn

学术经历:   2001年获得四川大学理学硕士学位;2007年获得电子科技大学工学博士学位

个人简介:   工作经历: 2018年7月-至今 电子科学与工程学院 教授/人力资源部教师发展中心 主任; 2012年8月-2018年7月 电子科技大学微电子与固体电子学院 /电子科学与工程学院 教授/副系主任/系主任 2010年8月-2012年7月 电子科技大学微电子与固体电子学院 副教授/副系主任 2009年7月-2010年7月 剑桥大学博士后 2008年8月-2009年6月 电子科技大学微电子与固体电子学院 副教授 2001年7月-2008年7月 电子科技大学微电子与固体电子学院 助教/讲师 主持或主研国家自然科学基金重点和面上项目、JW173重点项目、973项目、国家科技重大专项、省部级项目等40余项。发表SCI检索100余篇,其中以第一作者和通讯作者在微电子器件顶级期刊IEEE ED和IEEE TED上发表论文30余篇,H指数为25,在重要国际学术会议做 5 次主题/特邀报告。作为第一发明人申请专利100余项,其中授权美国发明专利6项、中国发明专利50余项。 学术兼职: 1、功率半导体领域国际顶级学术会议ISPSD的TPC委员; 2、IEEE EDS Power Devices and ICs,全球15名Technical Committee委员之一; 3、国家自然科学基金会议评审专家; 4、国家人才基金项目会评专家; 5、国际会议IEEE ICSICT分会主席; 6、Advances in Material and Physics of Power Semiconductor and Integration,Guest Editor 7、NMCI国际会议,大会Co-chair 8、全国半导体物理学术会议专题主席。 荣誉和奖励(科技类): 2021年,国家级人才计划入选者; 2020年,四川省技术发明二等奖; 2019年,国防科技技术发明二等奖; 2018年,获GF卓越青年科学基金; 2018年,四川省有突出贡献的优秀专专家; 2017年,中国电子学会优秀科技工作者; 2010年,国家科技进步二等奖; 2011年,教育部新世纪优秀人才支持计划; 2014年,教育部自然科学奖二等奖; 2013年,四川省青年科技奖; 2013年,四川省学术技术带头人后备人选; 2011年,四川省优秀博士学位论文 2012年,电子科技大学“百人计划”; 2016年,本科教学优秀奖; 2017年,电子科技大学第四届“我最喜爱老师”卓越风采奖。

科研项目:   研究方向:功率半导体器件与集成电路 主要科研项目: 1、173重点项目,氧化镓方向,批准号:2021-JCJQ-ZD-056-00,负责人; 2、国家自然科学基金区域联合基金重点项目,新型高阈值电压GaN电力电子器件模型与关键技术研究,批准号:U20A20208,负责人 3、卓越青年科学基金:批准号:2018-JCJQ-ZQ-060,负责人; 4、基础性JG科研院所稳定支持项目,批准号:1902N261,负责人; 5、装发十三五预研:批准号,31513030201-2,负责人; 6、总装十二五预研:批准号,51308020304,负责人; 7、国家自然科学基金:空穴气增强型高压 GaN HEMT 机理与新结构研究,批准号:51677021,负责人; 8、国家自然科学基金:对称极化掺杂增强型功率 GaN HFET 机理与工艺实现研究,批准号:61874149,负责人; 9、国家自然科学基金:高压、超低功耗的易集成SOI横向功率MOSFET机理与新结构研究,批准号:61176069,负责人; 10、国家自然科学基金:结型场板横向功率器件机理与新结构研究,批准号:61376079,负责人; 11、国防科工局基础科研重点项目,批准号:JCKY2016210B008,子课题负责人; 12、国家科技重大专项:批准号:2014ZX02306001-002,主研; 13、国家科技重大专项:批准号:2013ZX02501002-003,主持。 14、装备部项目:XXXXX集成关键技术,批准号:51308020304,负责人。 热烈欢迎对以上研究方向有兴趣的同学加入本课题组进行硕士研究生、博士研究生和博士后科研工作。

研究成果:   代表性学术成果(部分): (一) 行业顶级期刊IEEE EDL、TED和IEEE PE [1] Yuxi Wei, Xiaorong Luo*, Yuangang Wang, Juan Lu, Zhuolin Jiang, Jie Wei, Yuanjie Lv, Zhihong Feng*. IEEE Transactions on Power Electronics, 2021, 36(10): 10976-10980. [2] Jie Wei, Sen Zhang, Xiaorong Luo(*), Diao Fan, and Bo Zhang. IEEE Transactions on Electron Devices,2021, 68(5): 2572–2576 [3] Jie Wei, Zhen Ma, Xiaorong Luo(*), Congcong Li, Hua Song, Sen Zhang, and Bo Zhang. IEEE Transactions on Electron Devices, 2021, 68(8): 4168-4172 [4] Gaoqiang Deng, Zhen Ma, Xiaorong Luo(*), Xintong Xie, Congcong Li and W. T. Ng, IEEE Transactions on Electron Devices, 2021, 68(10): pp. 5326-5329 [5] Gaoqiang Deng, Xiaorong Luo, Zheyan Zhao, Jie Wei, Shikang Cheng; Congcong Li; Zhen Ma; Bo Zhang, IEEE Electron Device Letters, 2020.03, 41(3): 465-468. [6] Gaoqiang Deng, Xiaorong Luo, Tao Sun, et al.IEEE Transactions on Electron Devices, 2019, 66(6): 2681-2685. [7] Xiaorong Luo, Yang Yang, TaoSun, et al. IEEE Transactions on Electron Devices, 2019, 66(3): 1390-1395. [8] Yuxi Wei, Xiaorong Luo, Weiwei Ge, et al. IEEE Transactions on Electron Devices, 2019, 66(6): 2669-2674. [9] Jie Wei, Xiaorong Luo, Gaoqiang Deng, et al. IEEE Transactions on Electron Devices, 2019, 66(1): 533-538. [10] Chao Yang, Xiaorong Luo, Anbang. Zhang, et al. IEEE Transactions on Electron Devices, 2018, 65(11): 5203–5207. [11] Kun Zhou, Linhua Huang, Xiaorong Luo, et al. Transactions on Power Electronics, 2018, 33(4): 3289-3301 [12] Xiaorong Luo, Qing Liu, Jie Wei, et al. IEEE Transactions on Electron Devices, 2018, 65(10): 4729-4733 [13] Gaoqiang Deng, Xiao Rong Luo, Jie Wei, et al. IEEE Transactions on Electron Devices, 2018, 65(5): 1856-1861. [14] Jie Wei, Xiaorong Luo, Linhua Huang, et al. IEEE Electron Device Letters, 2018, 39(2): 252-255 [15] Xiao Rong Luo, Zheyan Zhao, Linhua Huang, et al. IEEE Transactions on Electron Devices, 2018, 65(8): 3572-3576. [16] Tao Sun, Xiaorong Luo, Jie Wei, et al. IEEE Transactions on Electron Devices, 2018, 65(8): 3365-3370. [17] Weiwei Ge, Xiaorong Luo, Junfeng Wu, et al. IEEE Electron Device Letters, 2017, 38(7): 910-913 [18] Linhua Huang, Xiaorong Luo, Jie Wei, et al. IEEE Transactions on Electron Devices, 2017, 64(9): 3961-3966 [19] Xiaorong Luo, Da Ma, Qiao Tan, et al. IEEE Electron Device Letters, 2016, 37(9): 1185-1188 [20] Xiaorong Luo, Mengshan Lv, Chao Yin, et al. IEEE Transactions on Electron Devices, 2016, 63(9): 3804-3807 [21] Jie Wei, Xiaorong Luo, Yanhui Zhang, et al. IEEE Transactions on Electron Devices, 2016, 63(4): 1637-1643 [22] Kun Zhou, Xiaorong Luo, Linhua Huang, et al. IEEE Electron Device Letters, 2016, 37(11): 1462-1465 [23] Xiaorong Luo, Qiao Tan, Jie Wei.IEEE Transactions on Electron Devices, 2016, 63(6): 2614-2619 [24] Kun Zhou, Xiaorong Luo, Zhaoji Li, et al.IEEE Transactions on Electron Devices, 2015, 62(10): 3334-3340 [25] Xiaorong Luo, Jie Wei, Xianlong Shi, et al. IEEE Transactions on Electron Devices, 2014, 61(12): 4304-4308 [26] Kun Zhou, Xiaorong Luo, Qing Xu, et al. IEEE Transactions on Electron Devices, 2014,61(7):2466-2472 [27] Xiaorong Luo, Y. H. Jiang, Kun Zhou, et al. IEEE Electron Device Letters, 2012, 33(7): 1042-1044 [28] Xiaorong Luo, Tianfei Lei, Yuangang Wang, et al. IEEE Transactions on Electron Devices, 2012, 59(2): 504-509 [29] Xiao Rong Luo, Jin Yong Cai, Ye Fan, et al.IEEE Transactions on Electron Devices, 2011, 60(9): 2840-2846 [30] Xiaorong Luo, Jie Fan, Yuangang Wang, et al. IEEE Electron Device Letters, 2011, 32(2): 185-187 [31] Xiaorong Luo, Yuangang Wang, Hao Deng, et al. IEEE Transactions on Electron Devices, 2010, 57(2): 535-538 [32] Xiaorong Luo, Bo Zhang, Tianfei Lei, et al. IEEE Transactions on Electron Devices, 2010, 57(11): 3033-3034 [33] Xiaorong Luo, Florin Udrea, Yuangang Wang, et al. IEEE Electron Device Letters, 2010, 31(6): 594-596 [34] Xiaorong Luo, Tianfei Lei, Yuangang Wang, et al. IEEE Electron Device Letters, 2009, 30(10): 1093-1095 [35] Xiaorong Luo, Daping Fu, Lei Lei, et al. IEEE Transactions on Electron Devices, 2009, 56(8): 1659-1666 [36] Bo Zhang, Zhaoji Li, Shengdong Hu, et al. IEEE Transactions on Electron Devices, 2009, 56(10): 2327-2334 [37] Xiaorong Luo, Zhaoji Li, Bo Zhang, et al. IEEE Electron Device Letters, 2008, 29(12):1-3 [38] Xiaorong Luo, Bo Zhang, and Zhaoji Li. IEEE Transactions on Electron Devices, 2008, 55(7): 1756-1761 [39] Xiaorong Luo, Bo Zhang, Zhaoji Li, et al. IEEE Electron Device Letters, 2007, 28(5): 422-424 [40] Wentong Zhang*, Lu Li, Ming Qiao, Zhenya Zhan, Shikang Cheng, Sen Zhang, Boyong He, Xiaorong Luo, Zhaoji Li, Bo Zhang, IEEE Electron Device Letters, 2019, 40(7): 1151 - 1154. [41] Wentong Zhang*, Zhenya Zhan, Yang Yu, Shikang Cheng, Yan Gu, Sen Zhang, Xiaorong Luo, Zehong Li, Ming Qiao, Zhaoji Li, and Bo Zhang. IEEE Electron Device Letters, 2017, 38(11): 1555-1558 [42] Wentong Zhang*, Bo Zhang, Ming Qiao, Zehong Li, Xiaorong Luo and Zhaoji Li. IEEE Transactions on Electron Devices, 2017, 64(1): 217-223 [43] Wentong Zhang*, Bo Zhang, Ming Qiao, Zehong Li, Xiaorong Luo and Zhaoji Li. IEEE Transactions on Electron Devices, 2017, 64(1): 224-230 [44] Wentong Zhang*, Bo Zhang, Ming Qiao, Zehong Li, Xiaorong Luo and Zhaoji Li,IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 63, no. 5, pp. 1984-1990, May. 2016 (二)重要国际会议论文 [1] Jie Wei, Zhen Ma, Xiaorong Luo, Congcong Li, Gaoqiang Deng, Hua Song, Kaiwei Dai, Yanjiang Jia, Dezun Liao, Sen Zhang, and Bo Zhang. ISPSD, Nagoya, 2021 [2] Xiaorong Luo, Sen Zhang, Jie Wei, Diao Fan; Bo Zhang, ISPSD, Vienna, 2020. [3] C. Yang, X. R. Luo, T. Sun, et al. CS MANTECH, Minneapolis, 2019, 18.13 [4] ChaoYang, Xiaorong Luo, Tao Sun, et al. ISPSD, Shanghai, 2019, 367-370. [5] Gaoqiang Deng, Xiaorong Luo, Kun Zhou, et al. ISPSD,Shanghai, 2019, 359-362. [6] Kun Zhou, Tao Sun, Qing Liu, et al. ISPSD, Sapporo, 2017, 315-318. [7] Xiaorong Luo, Weiwei Ge, Bo Zhang. International Conference on ASIC, Guiyang, 2017, 468-471.(Invited) [8] Gaoqiang Deng, Xiaorong Luo, Kun Zhou, et al. ISPSD, Sapporo, 2017, 127-130. [9] Chao Yang, Jun-Feng Wu, Fu Peng, et al. ICSICT, Hangzhou, 2016. [10] Jie Wei, Xiaorong Luo, Da Ma, et al. ISPSD, Prague, 2016, 171-174. [11] Jie Wei, Xiaorong Luo, Yanhui Zhang, et al. ISPSD, Hong Kong, 2015, 185-188. [12] Jie Wei, Xiaorong Luo, Xianlong Shi, et al. ISPSD, Waikoloa, HI, 2014, 127-130. [13] Kun Zhou, Xiaorong Luo, Qing Xu, et al. ISPSD, Waikoloa, HI, 2014, 189-192. [14] Xiaorong Luo, Kun Zhou, Zhaoji Li, et al. ICSICT, Guilin, 2014, 1784-1787. [15] Xiaorong Luo, Y G Wang, T F Lei, et al. ISPSD, Diego, CA, 2011, 76-79. [16] Xiaoming Yang, Bo Zhang, Xiaorong Luo. ICSICT, Shanghai, 2010. [17] Xiaorong Luo, Tianfei Lei, Yuangang Wang, et al. ISPSD, Hiroshima, 2010, 265-268. [18] Jie Fan, Bo Zhang, Xiaorong Luo, et al. ICSICT, Shanghai, 2010. [19] Xiaorong Luo, Yuangang Wang, Guoliang Yao, et al. ICSICT, Shanghai, 2010. [20] Lei Lei, Xiaorong Luo, Zhan Zhan, et al.ICSICT, Beijing, 2008. [21] Wentong Zhang*, Song Pu, Chunlan Lai, Li Ye, Shikang Cheng, Sen Zhang, Boyong He, Zhuo Wang, Xiaorong Luo, Ming Qiao, Zhaoji Li, and Bo Zhang, ISPSD , pp. 475-478, May. 2018. (Oral). [22] Wentong Zhang*, Ming Qiao, Lijuan Wu, Ke Ye, Zhuo Wang, Zhigang Wang, Xiaorong Luo, Sen Zhang, Wei Su, Bo Zhang, and Zhaoji Li, ISPSD , pp. 329-332, May. 2013. (Oral). (三)发明专利 6项美国授权专利 44项中国授权专利 (未更新) [1] Xiaorong Luo, Florin Udrea, SOI Lateral MOSFET Devices, US patent, 8,716,794 B2; [2] Xiaorong Luo, Guoliang Yao, Tianfei Lei, et al. Trench-type semiconductor power devices, US patent, 8,890,280 B2 [3] Xiaorong Luo, Jiayun Xiong,Chao Yang, et al.ENHANCEMENT MODE HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR, US patent, 9,431,527 B1 [4] Xiaorong Luo, Weiwei Ge, Junfeng Wu, et al. A KIND OF POWER TRI-GATE LDMOS, US patent, 9,620,638 B1 [5] Xiaorong Luo, Gaoqiang Deng, Kun Zhou, et al. REVERSE CONDUCTING IGBT, US patent, 10,340,373 B2 [6] Xiaorong Luo, Fu Peng, Chao Yang, et al. POLARIZATION-DOPED ENHANCEMENT MODE HEMT, US patent, 10,304,931 B2 [7] 罗小蓉,姚国亮,雷天飞等,槽型半导体功率器件,专利号:ZL201010610944.2 [8] 罗小蓉,姚国亮,雷天飞等, SOI横向MOSFET器件和集成电路,专利号:ZL201110003586.3 [9] 罗小蓉,王元刚,姚国亮等,具有延伸沟槽的超结半导体器件的制造方法,专利号:ZL201110051878.4 [10] 罗小蓉,姚国亮,王元刚等,超结结构和超结半导体器件的制造方法,专利号:ZL201110051879.9 [11] 罗小蓉,王元刚,姚国亮等,一种槽型纵向半导体器件的制造方法,专利号:ZL201110075550.6 [12] 罗小蓉,姚国亮,王元刚等,一种具有高K介质槽的半导体功率器件,专利号:ZL201110075604.9 [13] 罗小蓉,周坤,姚国亮等,一种双栅功率MOSFET器件,专利号:ZL201210179867.9 [14] 罗小蓉,蒋永恒,蔡金勇等,槽栅半导体功率器件,专利号:ZL201210220695.5 [15] 罗小蓉,王沛,蔡金勇等, 一种槽型半导体功率器件的制造方法,专利号:ZL201210226462.6 [16] 罗小蓉,王沛,范叶等, 一种槽型半导体功率器件,专利号:ZL201210226454.1 [17] 罗小蓉,周坤,范叶等, 纵向功率半导体器件的制造方法,专利号:ZL201210306150.6 [18] 罗小蓉,罗尹春,周坤等, 一种SOI基PMOSFET功率器件,专利号:ZL201210441287.2 [19] 罗小蓉,罗尹春,范远航等, 一种具有结型场板的SOI功率LDMOS器件,专利号:ZL201310202568.7 [20] 罗小蓉,魏杰,罗尹春等, 一种具有结型场板的功率LDMOS器件,专利号:ZL201310202668.X [21] 罗小蓉,王骁玮,范叶等, 一种横向SOI功率半导体器件,专利号:ZL201310346866.3 [22] 罗小蓉,田瑞超,徐菁等,具有U型延伸栅的SOI槽型LDMOS器件,专利号:ZL201410142967.3 [23] 罗小蓉,李鹏程,田瑞超等,一种槽型积累层MOSFET器件,专利号:ZL201410142500.9 [24] 罗小蓉,李鹏程,田瑞超等,一种槽型横向MOSFET器件的制造方法,专利号:ZL201410143064.7 [25] 罗小蓉,田瑞超,魏杰等, 一种横向SOI功率LDMOS器件,专利号:ZL201410439282.5 [26] 罗小蓉,熊佳云,杨超等, 一种用于GaN基HEMT器件的自适应偏置场板,专利号:ZL201410471520.0 [27] 罗小蓉,杨超,熊佳云等, 一种缓冲层荷电RESURF HEMT器件,专利号:ZL201410851598.5 [28] 罗小蓉,刘建平,张彦辉等, 一种横向MOSFET器件的制造方法,专利号:ZL201510410002.2 [29] 罗小蓉,张彦辉,刘建平等, 一种LDMOS器件的制造方法,专利号:ZL201510408917.X [30] 罗小蓉,张彦辉,刘建平等,一种LDMOS器件的制造方法2,专利号:ZL201510410157.6 [31] 罗小蓉,熊佳云,杨超等,一种增强型HEMT器件,专利号:ZL201510456018.7 [32] 罗小蓉,杨超,熊佳云等,一种具有结型半导体层的HEMT器件,专利号:ZL201510456005.X [33] 罗小蓉,尹超,谭桥等,一种功率MOS器件,专利号:ZL201510556581.1 [34] 罗小蓉,阮新亮,周坤等,一种短路阳极横向绝缘栅双极型晶体管,专利号:ZL201510936970.7 [35] 罗小蓉,阮新亮,周坤等,一种SA-LIGBT,专利号:ZL201510937715.4 [36] 罗小蓉,吕孟山,尹超等,一种槽栅功率MOSFET器件,专利号:ZL201610015326.0 [37] 罗小蓉,吕孟山,尹超等,一种具有三栅结构的HK SOI LDMOS器件,专利号:ZL201610333480.2 [38] 罗小蓉,邓高强,周坤等,一种横向IGBT,专利号:ZL201610344066.1 [39] 罗小蓉,杨超,吴俊峰等,一种积累型垂直HEMT器件,专利号:ZL201610432032.8 [40] 罗小蓉,黄琳华,周坤等,一种具有超结的RB-IGBT,专利号:ZL201610513921.7 [41] 罗小蓉,葛薇薇,吴俊峰等,一种三栅功率LDMOS,专利号:ZL201610554363.9 [42] 罗小蓉,邓高强,周坤等,一种逆导型IGBT(1),专利号:ZL201610786927.1 [43] 罗小蓉,邓高强,周坤等,一种逆导型IGBT(2),专利号:ZL201610786770.2 [44] 罗小蓉,黄琳华,邓高强等,一种具有双栅的RC-IGBT,专利号:ZL201610812713.7 [45] 罗小蓉,张凯,孙涛等,一种碳化硅VDMOS器件,专利号:ZL201710137017.5 [46] 罗小蓉,张波,李肇基等,一种具有窗口的双介质SOI耐压结构及其SOI功率器件,专利号:ZL200610022119.4 [47] 罗小蓉,张伟,詹瞻等,基于自隔离技术的介质场增强SOI耐压结构,专利号:ZL200910058145.6 [48] 罗小蓉,张伟,邓浩等,在厚膜SOI材料中形成图形化半导体埋层的方法,专利号:ZL200910058291.9 [49] 罗小蓉,黄磊,付达平等,双面介质槽部分SOI材料的制备方法,专利号:ZL200910058508.6 [50] 罗小蓉,弗罗林·乌德雷亚(外),SOI横向MOSFET器件,专利号:ZL201010173833.X [51]罗小蓉,彭富,杨超等,一种具有高K介质槽的纵向增强型MIS HEMT器件,专利号:ZL201610902631.1 [52]罗小蓉,彭富,杨超等,一种具有N型浮空埋层的RESURF HEMT器件,专利号:ZL201710137633.0 [53]罗小蓉,张凯,孙涛等,一种碳化硅VDMOS器件,专利号:ZL201710137017.5 [54]罗小蓉,赵哲言,邓高强等,一种短路阳极SOI LIGBT,专利号:ZL201710439235.4 [55]罗小蓉,彭富,杨超等,一种极化掺杂增强型HEMT器件,专利号:ZL201710222890.4 [56]罗小蓉,孙涛,黄琳华等,一种具有载流子存储层的槽型SOI LIGBT,专利号:ZL201720523833.5 [57]罗小蓉,魏杰,黄琳华等,一种具有可控阳极槽的横向 SOI SA-IGBT,专利号:ZL201721104029.X [58]罗小蓉,杨洋,孙涛等,一种具有载流子存储层薄SOI LIGBT器件,专利号:ZL201721232526.8 [59]罗小蓉,刘庆,黄琳华等,一种逆阻型IGBT,专利号:ZL201721552279.X [60]罗小蓉,刘庆,魏杰等,一种逆阻型IGBT,专利号:ZL201721551911.9 [61]罗小蓉,赵哲言,黄琳华等,一种槽栅短路阳极SOI LIGBT,专利号:ZL201810224788.2 [62]罗小蓉,邓高强,孙涛等,一种横向IGBT的制造方法,专利号:ZL201810207164.X [63]罗小蓉,杨洋,魏杰等,一种具有阳极夹断槽的短路阳极SOI LIGBT,专利号:ZL201810113223.7 [64]罗小蓉,杨洋,孙涛等,一种具有快速关断特性的SOI LIGBT,专利号:ZL201810113221.8 [65]罗小蓉,李聪聪,樊雕等,一种超低功耗薄层高压功率器件,专利号:ZL201910805845.0 [66]罗小蓉,樊雕,李聪聪等,一种短路阳极薄层高压功率器件,专利号:ZL201910805725.0 [67]魏杰,马臻,黄俊岳等,一种多槽栅横向高压功率器件制造方法,专利号:ZL201910805736.9 [68]魏杰,黄俊岳,马臻等,一种高速低损耗的多槽栅高压功率器件,专利号:ZL201910805724.6 [69]罗小蓉,王晨霞,鲁娟等,一种高速低功耗高压功率器件,专利号:ZL201910805741.X [70]罗小蓉,张森,苏伟等,一种高耐压低损耗超结功率器件,专利号:ZL201910806274.2 [71]罗小蓉,孙涛,欧阳东法等,一种垂直GaN功率二极管,专利号:ZL202010040170.8 [72]罗小蓉,孙涛,欧阳东法等,一种具有集成续流二极管的纵向GaN MOS,专利号:ZL202010051717.4 [73]罗小蓉,欧阳东法,郗路凡等,一种具有集成续流二极管的GaN 纵向场效应晶体管,专利号:ZL202010051716.X [74]罗小蓉,孙涛,魏杰等,一种具有载流子存储层的三栅薄SOI LIGBT,专利号:ZL201810042181.2 [75]魏杰,马臻,郗路凡等,一种集成齐纳二极管的SOI LIGBT器件,专利号:ZL202010901059.3 [76]魏杰,郗路凡,马臻等,一种集成有齐纳二极管和集电极PMOS结构的功率器件,专利号:ZL202010898990.0 [77]魏杰,郗路凡,马臻等,一种具有自适应性的SOI LIGBT器件,专利号:ZL202010899021.7

专业研究方向:  
专业名称 研究方向 招生类别
085400电子信息 05集成电路工程 硕士


学院列表
01  信息与通信工程学院
02  电子科学与工程学院
03  材料与能源学院
04  机械与电气工程学院
05  光电科学与工程学院
06  自动化工程学院
07  资源与环境学院
08  计算机科学与工程学院
09  信息与软件工程学院
10  航空航天学院
11  数学科学学院
12  物理学院
13  医学院
14  生命科学与技术学院
15  经济与管理学院
16  公共管理学院
17  外国语学院
18  马克思主义学院
21  基础与前沿研究院
22  通信抗干扰技术国家级重点实验室
23  电子科学技术研究院
28  深圳高等研究院