电子科学与工程学院
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| 导师代码： |
10755
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| 导师姓名： |
罗小蓉
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| 性 别： |
女 |
| 特 称： |
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| 职 称： |
教授
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| 学 位： |
工学博士学位
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| 属 性： |
专职 |
| 电子邮件： |
xrluo@uestc.edu.cn
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| 学术经历：
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2001年获得四川大学理学硕士学位；2007年获得电子科技大学工学博士学位
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| 个人简介：
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工作经历：
2018年7月-至今 电子科学与工程学院 教授/人力资源部教师发展中心 主任；
2012年8月-2018年7月 电子科技大学微电子与固体电子学院 /电子科学与工程学院
教授/副系主任/系主任
2010年8月-2012年7月 电子科技大学微电子与固体电子学院 副教授/副系主任
2009年7月-2010年7月 剑桥大学博士后
2008年8月-2009年6月 电子科技大学微电子与固体电子学院 副教授
2001年7月-2008年7月 电子科技大学微电子与固体电子学院 助教/讲师
主持或主研国家自然科学基金重点和面上项目、JW173重点项目、973项目、国家科技重大专项、省部级项目等40余项。发表SCI检索100余篇，其中以第一作者和通讯作者在微电子器件顶级期刊IEEE ED和IEEE TED上发表论文30余篇，H指数为25，在重要国际学术会议做 5 次主题/特邀报告。作为第一发明人申请专利100余项，其中授权美国发明专利6项、中国发明专利50余项。
学术兼职：
1、功率半导体领域国际顶级学术会议ISPSD的TPC委员；
2、IEEE EDS Power Devices and ICs，全球15名Technical Committee委员之一；
3、国家自然科学基金会议评审专家；
4、国家人才基金项目会评专家；
5、国际会议IEEE ICSICT分会主席；
6、Advances in Material and Physics of Power Semiconductor and Integration，Guest Editor
7、NMCI国际会议，大会Co-chair
8、全国半导体物理学术会议专题主席。
荣誉和奖励（科技类）：
2021年，国家级人才计划入选者；
2020年，四川省技术发明二等奖；
2019年，****科技技术发明二等奖；
2018年，获GF卓越青年科学基金；
2018年，四川省有突出贡献的优秀专专家；
2017年，中国电子学会优秀科技工作者；
2010年，国家科技进步二等奖；
2011年，教育部新世纪优秀人才支持计划；
2014年，教育部自然科学奖二等奖；
2013年，四川省青年科技奖；
2013年，四川省学术技术带头人后备人选；
2011年，四川省优秀博士学位论文
2012年，电子科技大学“百人计划”；
2016年，本科教学优秀奖；
2017年，电子科技大学第四届“我最喜爱老师”卓越风采奖。
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| 科研项目：
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研究方向：功率半导体器件与****
主要科研项目：
1、173重点项目，氧化镓方向，批准号：2021-JCJQ-ZD-056-00，负责人；
2、国家自然科学基金区域联合基金重点项目，新型高阈值电压GaN电力电子器件模型与关键技术研究，批准号：U20A20208，负责人
3、卓越青年科学基金：批准号：2018-JCJQ-ZQ-060，负责人；
4、基础性JG科研院所稳定支持项目，批准号：1902N261，负责人；
5、装发十三五预研：批准号，31513030201-2，负责人；
6、总装十二五预研：批准号，51308020304，负责人；
7、国家自然科学基金：空穴气增强型高压 GaN HEMT 机理与新结构研究，批准号：51677021,负责人；
8、国家自然科学基金：对称极化掺杂增强型功率 GaN HFET 机理与工艺实现研究，批准号：61874149,负责人；
9、国家自然科学基金：高压、超低功耗的易集成SOI横向功率MOSFET机理与新结构研究，批准号：61176069,负责人；
10、国家自然科学基金：结型场板横向功率器件机理与新结构研究，批准号：61376079，负责人；
11、****科工局基础科研重点项目，批准号：JCKY2016210B008，子课题负责人；
12、****：批准号：2014ZX02306001-002，主研;
13、****：批准号：2013ZX02501002-003，主持。
14、装备部项目：XXXXX集成关键技术，批准号：51308020304，负责人。
热烈欢迎对以上研究方向有兴趣的同学加入本课题组进行硕士研究生、博士研究生和博士后科研工作。
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| 研究成果：
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代表性学术成果（部分）：
（一） 行业顶级期刊IEEE EDL、TED和IEEE PE
[1] Yuxi Wei, Xiaorong Luo*, Yuangang Wang, Juan Lu, Zhuolin Jiang, Jie Wei, Yuanjie Lv, Zhihong Feng*. IEEE Transactions on Power Electronics, 2021, 36(10): 10976-10980.
[2] Jie Wei, Sen Zhang, Xiaorong Luo(*), Diao Fan, and Bo Zhang. IEEE Transactions on Electron Devices,2021, 68(5): 2572–2576
[3] Jie Wei, Zhen Ma, Xiaorong Luo(*), Congcong Li, Hua Song, Sen Zhang, and Bo Zhang. IEEE Transactions on Electron Devices, 2021, 68(8): 4168-4172
[4] Gaoqiang Deng, Zhen Ma, Xiaorong Luo(*), Xintong Xie, Congcong Li and W. T. Ng, IEEE Transactions on Electron Devices, 2021, 68(10): pp. 5326-5329
[5] Gaoqiang Deng, Xiaorong Luo, Zheyan Zhao, Jie Wei, Shikang Cheng; Congcong Li; Zhen Ma; Bo Zhang, IEEE Electron Device Letters, 2020.03, 41(3): 465-468.
[6] Gaoqiang Deng, Xiaorong Luo, Tao Sun, et al.IEEE Transactions on Electron Devices, 2019, 66(6): 2681-2685.
[7] Xiaorong Luo, Yang Yang, TaoSun, et al. IEEE Transactions on Electron Devices, 2019, 66(3): 1390-1395.
[8] Yuxi Wei, Xiaorong Luo, Weiwei Ge, et al. IEEE Transactions on Electron Devices, 2019, 66(6): 2669-2674.
[9] Jie Wei, Xiaorong Luo, Gaoqiang Deng, et al. IEEE Transactions on Electron Devices, 2019, 66(1): 533-538.
[10] Chao Yang, Xiaorong Luo, Anbang. Zhang, et al. IEEE Transactions on Electron Devices, 2018, 65(11): 5203–5207.
[11] Kun Zhou, Linhua Huang, Xiaorong Luo, et al. Transactions on Power Electronics, 2018, 33(4): 3289-3301
[12] Xiaorong Luo, Qing Liu, Jie Wei, et al. IEEE Transactions on Electron Devices, 2018, 65(10): 4729-4733
[13] Gaoqiang Deng, Xiao Rong Luo, Jie Wei, et al. IEEE Transactions on Electron Devices, 2018, 65(5): 1856-1861.
[14] Jie Wei, Xiaorong Luo, Linhua Huang, et al. IEEE Electron Device Letters, 2018, 39(2): 252-255
[15] Xiao Rong Luo, Zheyan Zhao, Linhua Huang, et al. IEEE Transactions on Electron Devices, 2018, 65(8): 3572-3576.
[16] Tao Sun, Xiaorong Luo, Jie Wei, et al. IEEE Transactions on Electron Devices, 2018, 65(8): 3365-3370.
[17] Weiwei Ge, Xiaorong Luo, Junfeng Wu, et al. IEEE Electron Device Letters, 2017, 38(7): 910-913
[18] Linhua Huang, Xiaorong Luo, Jie Wei, et al. IEEE Transactions on Electron Devices, 2017, 64(9): 3961-3966
[19] Xiaorong Luo, Da Ma, Qiao Tan, et al. IEEE Electron Device Letters, 2016, 37(9): 1185-1188
[20] Xiaorong Luo, Mengshan Lv, Chao Yin, et al. IEEE Transactions on Electron Devices, 2016, 63(9): 3804-3807
[21] Jie Wei, Xiaorong Luo, Yanhui Zhang, et al. IEEE Transactions on Electron Devices, 2016, 63(4): 1637-1643
[22] Kun Zhou, Xiaorong Luo, Linhua Huang, et al. IEEE Electron Device Letters, 2016, 37(11): 1462-1465
[23] Xiaorong Luo, Qiao Tan, Jie Wei.IEEE Transactions on Electron Devices, 2016, 63(6): 2614-2619
[24] Kun Zhou, Xiaorong Luo, Zhaoji Li, et al.IEEE Transactions on Electron Devices, 2015, 62(10): 3334-3340
[25] Xiaorong Luo, Jie Wei, Xianlong Shi, et al. IEEE Transactions on Electron Devices, 2014, 61(12): 4304-4308
[26] Kun Zhou, Xiaorong Luo, Qing Xu, et al. IEEE Transactions on Electron Devices, 2014,61(7):2466-2472
[27] Xiaorong Luo, Y. H. Jiang, Kun Zhou, et al. IEEE Electron Device Letters, 2012, 33(7): 1042-1044
[28] Xiaorong Luo, Tianfei Lei, Yuangang Wang, et al. IEEE Transactions on Electron Devices, 2012, 59(2): 504-509
[29] Xiao Rong Luo, Jin Yong Cai, Ye Fan, et al.IEEE Transactions on Electron Devices, 2011, 60(9): 2840-2846
[30] Xiaorong Luo, Jie Fan, Yuangang Wang, et al. IEEE Electron Device Letters, 2011, 32(2): 185-187
[31] Xiaorong Luo, Yuangang Wang, Hao Deng, et al. IEEE Transactions on Electron Devices, 2010, 57(2): 535-538
[32] Xiaorong Luo, Bo Zhang, Tianfei Lei, et al. IEEE Transactions on Electron Devices, 2010, 57(11): 3033-3034
[33] Xiaorong Luo, Florin Udrea, Yuangang Wang, et al. IEEE Electron Device Letters, 2010, 31(6): 594-596
[34] Xiaorong Luo, Tianfei Lei, Yuangang Wang, et al. IEEE Electron Device Letters, 2009, 30(10): 1093-1095
[35] Xiaorong Luo, Daping Fu, Lei Lei, et al. IEEE Transactions on Electron Devices, 2009, 56(8): 1659-1666
[36] Bo Zhang, Zhaoji Li, Shengdong Hu, et al. IEEE Transactions on Electron Devices, 2009, 56(10): 2327-2334
[37] Xiaorong Luo, Zhaoji Li, Bo Zhang, et al. IEEE Electron Device Letters, 2008, 29(12):1-3
[38] Xiaorong Luo, Bo Zhang, and Zhaoji Li. IEEE Transactions on Electron Devices, 2008, 55(7): 1756-1761
[39] Xiaorong Luo, Bo Zhang, Zhaoji Li, et al. IEEE Electron Device Letters, 2007, 28(5): 422-424
[40] Wentong Zhang*, Lu Li, Ming Qiao, Zhenya Zhan, Shikang Cheng, Sen Zhang, Boyong He, Xiaorong Luo, Zhaoji Li, Bo Zhang, IEEE Electron Device Letters, 2019, 40(7): 1151 - 1154.
[41] Wentong Zhang*, Zhenya Zhan, Yang Yu, Shikang Cheng, Yan Gu, Sen Zhang, Xiaorong Luo, Zehong Li, Ming Qiao, Zhaoji Li, and Bo Zhang. IEEE Electron Device Letters, 2017, 38(11): 1555-1558
[42] Wentong Zhang*, Bo Zhang, Ming Qiao, Zehong Li, Xiaorong Luo and Zhaoji Li. IEEE Transactions on Electron Devices, 2017, 64(1): 217-223
[43] Wentong Zhang*, Bo Zhang, Ming Qiao, Zehong Li, Xiaorong Luo and Zhaoji Li. IEEE Transactions on Electron Devices, 2017, 64(1): 224-230
[44] Wentong Zhang*, Bo Zhang, Ming Qiao, Zehong Li, Xiaorong Luo and Zhaoji Li,IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 63, no. 5, pp. 1984-1990, May. 2016
(二）重要国际会议论文
[1] Jie Wei, Zhen Ma, Xiaorong Luo, Congcong Li, Gaoqiang Deng, Hua Song, Kaiwei Dai, Yanjiang Jia, Dezun Liao, Sen Zhang, and Bo Zhang. ISPSD, Nagoya, 2021
[2] Xiaorong Luo, Sen Zhang, Jie Wei, Diao Fan; Bo Zhang, ISPSD, Vienna, 2020.
[3] C. Yang, X. R. Luo, T. Sun, et al. CS MANTECH, Minneapolis, 2019, 18.13
[4] ChaoYang, Xiaorong Luo, Tao Sun, et al. ISPSD, Shanghai, 2019, 367-370.
[5] Gaoqiang Deng, Xiaorong Luo, Kun Zhou, et al. ISPSD,Shanghai, 2019, 359-362.
[6] Kun Zhou, Tao Sun, Qing Liu, et al. ISPSD, Sapporo, 2017, 315-318.
[7] Xiaorong Luo, Weiwei Ge, Bo Zhang. International Conference on ASIC, Guiyang, 2017, 468-471.(Invited)
[8] Gaoqiang Deng, Xiaorong Luo, Kun Zhou, et al. ISPSD, Sapporo, 2017, 127-130.
[9] Chao Yang, Jun-Feng Wu, Fu Peng, et al. ICSICT, Hangzhou, 2016.
[10] Jie Wei, Xiaorong Luo, Da Ma, et al. ISPSD, Prague, 2016, 171-174.
[11] Jie Wei, Xiaorong Luo, Yanhui Zhang, et al. ISPSD, Hong Kong, 2015, 185-188.
[12] Jie Wei, Xiaorong Luo, Xianlong Shi, et al. ISPSD, Waikoloa, HI, 2014, 127-130.
[13] Kun Zhou, Xiaorong Luo, Qing Xu, et al. ISPSD, Waikoloa, HI, 2014, 189-192.
[14] Xiaorong Luo, Kun Zhou, Zhaoji Li, et al. ICSICT, Guilin, 2014, 1784-1787.
[15] Xiaorong Luo, Y G Wang, T F Lei, et al. ISPSD, Diego, CA, 2011, 76-79.
[16] Xiaoming Yang, Bo Zhang, Xiaorong Luo. ICSICT, Shanghai, 2010.
[17] Xiaorong Luo, Tianfei Lei, Yuangang Wang, et al. ISPSD, Hiroshima, 2010, 265-268.
[18] Jie Fan, Bo Zhang, Xiaorong Luo, et al. ICSICT, Shanghai, 2010.
[19] Xiaorong Luo, Yuangang Wang, Guoliang Yao, et al. ICSICT, Shanghai, 2010.
[20] Lei Lei, Xiaorong Luo, Zhan Zhan, et al.ICSICT, Beijing, 2008.
[21] Wentong Zhang*, Song Pu, Chunlan Lai, Li Ye, Shikang Cheng, Sen Zhang, Boyong He, Zhuo Wang, Xiaorong Luo, Ming Qiao, Zhaoji Li, and Bo Zhang, ISPSD , pp. 475-478, May. 2018. (Oral).
[22] Wentong Zhang*, Ming Qiao, Lijuan Wu, Ke Ye, Zhuo Wang, Zhigang Wang, Xiaorong Luo, Sen Zhang, Wei Su, Bo Zhang, and Zhaoji Li, ISPSD , pp. 329-332, May. 2013. (Oral).
（三）发明专利 6项美国授权专利 44项中国授权专利 （未更新）
[1] Xiaorong Luo, Florin Udrea, SOI Lateral MOSFET Devices, US patent, 8,716,794 B2;
[2] Xiaorong Luo, Guoliang Yao, Tianfei Lei, et al. Trench-type semiconductor power devices, US patent, 8,890,280 B2
[3] Xiaorong Luo, Jiayun Xiong,Chao Yang, et al.ENHANCEMENT MODE HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR, US patent, 9,431,527 B1
[4] Xiaorong Luo, Weiwei Ge, Junfeng Wu, et al. A KIND OF POWER TRI-GATE LDMOS, US patent, 9,620,638 B1
[5] Xiaorong Luo, Gaoqiang Deng, Kun Zhou, et al. REVERSE CONDUCTING IGBT, US patent, 10,340,373 B2
[6] Xiaorong Luo, Fu Peng, Chao Yang, et al. POLARIZATION-DOPED ENHANCEMENT MODE HEMT, US patent, 10,304,931 B2
[7] 罗小蓉,姚国亮,雷天飞等，槽型半导体功率器件，专利号：ZL201010610944.2
[8] 罗小蓉,姚国亮,雷天飞等, SOI横向MOSFET器件和集成电路，专利号：ZL201110003586.3
[9] 罗小蓉,王元刚，姚国亮等，具有延伸沟槽的超结半导体器件的制造方法，专利号：ZL201110051878.4
[10] 罗小蓉,姚国亮，王元刚等，超结结构和超结半导体器件的制造方法，专利号：ZL201110051879.9
[11] 罗小蓉,王元刚，姚国亮等，一种槽型纵向半导体器件的制造方法，专利号：ZL201110075550.6
[12] 罗小蓉,姚国亮，王元刚等，一种具有高K介质槽的半导体功率器件，专利号：ZL201110075604.9
[13] 罗小蓉,周坤，姚国亮等，一种双栅功率MOSFET器件，专利号：ZL201210179867.9
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| 专业研究方向：
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