集成电路科学与工程学院（示范性微电子学院）
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| 导师代码： |
20943
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| 导师姓名： |
魏杰
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| 性 别： |
男 |
| 特 称： |
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| 职 称： |
研究员
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| 学 位： |
工学博士学位
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| 属 性： |
专职 |
| 电子邮件： |
weijieuestc@uestc.edu.cn
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| 学术经历：
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2012年获得电子科技大学工学学士学位，2018年获得电子科技大学工学博士学位
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| 个人简介：
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魏杰，电子科技大学“百人计划”特聘研究员、博士生导师。
长期从事功率半导体器件方向研究，主持JKW基础加强计划重点项目课题、国家自然科学基金青年基金项目、全国博士后创新人才支持计划、中国博士后科学基金面上项目（一等）等项目，主研参与JKW卓越青年科学基金、国家自然科学基金区域联合基金重点项目/面上项目、装发十三五预研及多项横向合作课题项目，获四川省技术发明二等奖、四川省优秀毕业生、IEEE CDS Excellent Student Paper Award优秀论文奖。在领域重要期刊IEEE EDL、IEEE TED、IEEE JEDS等发表论文20余篇，领域重要国际会议IEEE ISPSD、IEEE ICSICT等发表论文9篇，申请中国发明专利20余项，已授权12项。
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| 科研项目：
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1. JKW基础加强计划重点项目，氧化镓方向，批准号：2021-XXX，在研，课题负责人；
2. JKW基础加强计划重点项目，氧化镓方向，批准号：2022-XXX，在研，子课题负责人；
3. 国家自然科学基金青年科学基金项目，双自适应型高速低损耗SOI LIGBT机理与新结构研究，批准号：62004031，在研，主持；
4. 四川省自然科学基金青年科学基金项目，具有集成二极管的超低功耗横向功率MOSFET机理与新结构研究，批准号：2022NSFSC0919，在研；
5. 全国博士后创新人才支持计划，高压低损耗功率器件与集成技术研究，批准号：BX20190059，已结题，主持；
6. 中国博士后科学基金面上资助（一等），高压低损耗多槽栅SOI LIGBT机理与新结构研究，批准号：2019M660235，已结题，主持；
7. 国家自然科学基金区域联合基金重点项目，新型高阈值电压GaN电力电子器件模型与关键技术研究，批准号：U20A20208，在研，主研；
8. JKW卓越青年科学基金：批准号：2018-XXX，主研；
9. 基础性JG科研院所稳定支持项目，批准号：1902N261，已结题，主研；
10. 装发十三五预研：批准号，31513030201-2，已结题，主研；
11. 国家自然科学基金面上项目，空穴气增强型高压 GaN HEMT 机理与新结构研究，批准号：51677021，已结题，主研；
12. 国家自然科学基金面上项目，对称极化掺杂增强型功率 GaN HFET 机理与工艺实现研究，批准号：61874149，已结题，主研；
13. 国家自然科学基金面上项目，结型场板横向功率器件机理与新结构研究，批准号：61376079，已结题，主研；
14. ****科工局基础科研重点项目子课题，批准号：JCKY2016210B008，已结题，主研；
15. 四川省科技计划资助（应用基础研究）重点项目，高压低损耗功率半导体器件基础理论与新机构研究，批准号：2018JY0555，已结题，主研；
16. 中电十三所****科技重点实验室基金项目，超宽禁带氧化镓功率器件大功率设计与应用研究，批准号：6142801190205，已结题，主研；
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| 研究成果：
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【期刊论文】
1. Jie Wei, Kaiwei Dai, Kemeng Yang, Pengchen Zhu, Jie Li, Zhaoji Li, Bo Zhang, and Xiaorong Luo. Fast-Switching and Low-Loss SOI LIGBT with Recombination Electrode and Double U-shaped P-regions[J], IEEE Transactions on Electron Devices, 2023, 70(2): 662-666.
2. Jie Wei, Sen Zhang, Xiaorong Luo(*), Diao Fan, and Bo Zhang. Low Switching Loss and EMI Noise IGBT with Self-Adaptive Hole-Extracting Path [J], IEEE Transactions on Electron Devices, 2021, 68(5): 2572–2576
3. Jie Wei, Zhen Ma, Xiaorong Luo(*), Congcong Li, Hua Song, Sen Zhang, and Bo Zhang. Experimental Realization of Ultralow On-resistance LDMOS with Optimized Layout [J], IEEE Transactions on Electron Devices, 2021, 68(8): 4168-4172
4. Jie Wei, Xiaorong Luo(*), Gaoqiang Deng, Tao Sun, Chenxia Wang, Bo Zhang, Zhaoji Li. Ultra-fast and low turn-off loss lateral IEGT with a MOS-controlled shorted anode, IEEE Transactions on Electron Devices, 2019.01.15, 66(1): 533~538
5. Jie Wei, Xiaorong Luo(*), Linhua Huang, Bo Zhang. Simulation Study of a Novel Snapback-Free and Low Turn-Off Loss Reverse-Conducting IGBT With Controllable Trench Gate, IEEE Electron Device Letters, 2018.02, 39(2): 252~255
6. Jie Wei, Kaiwei Dai, Xiaorong Luo(*), Zhen Ma, Jie Li, Congcong Li, and Bo Zhang. Analyses and Experiments of Ultralow Specific On-Resistance LDMOS With Integrated Diodes [J], IEEE Journal of the Electron Devices Society, 2021, 9: 1161-1165
7. Jie Wei, Kaiwei Dai1, Zhen Ma, Jie Li, Kemeng Yang and Xiaorong Luo(*), Simulation and experimental study on a high figure of merit LDMOS with ingenious layout design, Semiconductor Science and Technology, 2022, 37: 065015
8. Jie Wei, Xiaorong Luo(*), Yanhui Zhang, Pengcheng Li, Bo Zhang, Zhaoji Li. High-Voltage Thin-SOI LDMOS With Ultralow ON-Resistance and Even Temperature Characteristic, IEEE Transactions on Electron Devices, 2016.04, 63(4): 1637~1643
9. Kemeng Yang(#), Jie Wei(#), Kaiwei Dai, Zhen Ma, Congcong Li, and Xiaorong Luo(*), Snapback-Free Reverse-Conducting SOI LIGBT with an Integrated Self-Biased MOSFET, Nanoscale Research Letters, 2022, 17:46-55
10. Luo Xiaorong(*), Wei Jie, Xianlong Shi, Zhou Kun, Ruichao Tian, Bo Zhang, Zhaoji Li. Novel Reduced ON-Resistance LDMOS With an Enhanced Breakdown Voltage, IEEE Transactions on Electron Devices, 2014.12, 61(12): 4304~4308
11. Gaoqiang Deng, Xiaorong Luo(*), Jie Wei(*), Kun Zhou, Linhua Huang, Tao Sun, Qing Liu, Bo Zhang. A Snapback-Free Reverse Conducting Insulated-Gate Bipolar Transistor With Discontinuous Field-Stop Layer, IEEE Transactions on Electron Devices, 2018.05, 65(5): 1856~1861
12. Tao Sun, Xiaorong Luo(*), Jie Wei(*), Gaoqiang Deng, Linhua Huang, Zheyan Zhao, Yang Yang, Bo Zhang, Zhaoji Li, Wei Cui, Yonghui Yang, Kunfeng Zhu. A Carrier Stored SOI LIGBT With Ultralow ON-State Voltage and High Current Capability, IEEE Transactions on Electron Devices, 2018.08, 65(8): 3365~3370
13. Gaoqiang Deng, Xiaorong Luo(*), Zheyan Zhao, Jie Wei(*), Shikang Cheng, Congcong Li, Zhen Ma, Bo Zhang. Experimental Study of 600V Accumulation-Type Lateral Double-Diffused MOSFET With Ultra-Low On-Resistance, IEEE Electron Device Letters, 2020.03, 41(3): 465-468
14. Chao Yang, Xiaorong Luo(*), Anbang Zhang, Siyu Deng, Dongfa Ouyang, Fu Peng, Wei Jie(*), Bo Zhang, Zhaoji Li. AlGaN/GaN MIS-HEMT with AlN interface protection layer and trench termination structure, IEEE Transactions on Electron Devices, 2018.10.15, 65(11): 5203~5207
15. Xu Song, Xiaorong Luo(*), Jie Wei(*), Ke Zhang, Wei Su, Jian Fang, and Fei Yang. An ultralow loss 4H-SiC double trenches MOSFET with integrated heterojunction diodes and split gate[J]. Semiconductor Science and Technology, 2020,35: 085025
16. Diao Fan(*), Xiaorong Luo(*), Jie Wei(*), Yang Yang, Chenxia Wang, Congcong Li, Dongfa Ouyang, Ke Zhang and Bo Zhang. Operation Mechanism and Performance Optimization for a Novel Ultralow Loss SOI LIGBT with High Current Capability[J]. Semiconductor Science and Technology, 2020,35:045005
17. Gaoqiang Deng(#), Jie Wei, Jianping Liu, Xiaorong Luo(*). An ultralow on-resistance high-voltage SOI p-channel LDMOS, Superlattices and Microstructures, 2016.12, 100: 1029~1041
18. Yanghui Zhang(#), Jie Wei, Chao Yin, Qiao Tan, Jianping Liu, Pengcheng Li, Xiaorong Luo(*). A uniform doping ultra-thin SOI LDMOS with accumulation-mode extended gate and back-side etching technology, Chinese Physics B, 2016.02.01, 25(2): 027306-1~027306-8
19. Chao Yin(#), Jie Wei, Kun Zhou, Xiaorong Luo(*). Integratable trench MOSFET with ultra-low specific on-resistance, Electronics Letters, 2015.08.20, 51(17): 1348~1349
20. Tao Sun, Xiaorong Luo, Jie Wei. Chao Yang, Bo Zhang. Theoretical and Experimental Study on AlGaN/GaN Schottky Barrier Diode on Si Substrate with Double-Heterojunction[J]. Nanoscale Res. Lett. 2020,15: 149
21. Xiaorong Luo(*), Qing Liu, Jie Wei, Linhua Huang, Tao Sun, Zhaoji Li, Bo Zhang. A high bidirectional blocking capability insulated-gate bipolar transistor with ultralow loss, IEEE Transactions on Electron Devices, 2018.11.15, 65(10): 4729~4733
22. Linhua Huang, Xiaorong Luo(*), Jie Wei, Kun Zhou, Gaoqiang Deng, Tao Sun, Dongfa Ouyang, Diao Fan, Bo Zhang. A Snapback-Free Fast-Switching SOI LIGBT With Polysilicon Regulative Resistance and Trench Cathode, IEEE Transactions on Electron Devices, 2017.09, 64(9): 3961~3966
23. Xiaorong Luo(*), Qiao Tan, Jie Wei, Kun Zhou, Gaoqiang Deng, Zhaoji Li, Bo Zhang. Ultralow ON-Resistance High-Voltage p-Channel LDMOS With an Accumulation-Effect Extended Gate, IEEE Transactions on Electron Devices, 2016.06, 63(6): 2614~2619
24. Da Ma, Xiaorong Luo(*), Jie Wei, Qiao Tan, Kun Zhou, Junfeng Wu. Ultra-low specific on-resistance high-voltage vertical double diffusion metal–oxide–semiconductor field-effect transistor with continuous electron accumulation layer, Chinese Physics B, 2016.06.15, 25(4): 048502-1~048502-6
25. Xianlong Shi, Xiaorong Luo(*), Jie Wei, Qiao Tan, Jianping Liu, Qing Xu, Pengcheng Li, Ruichao Tian, Da Ma. A novel LDMOS with a junction field plate and a partial N-buried layer, Chinese Physics B, 2014.12, 23(12): 0~127303
26. Xiaorong Luo(*), Yang Yang, Tao Sun, Jie Wei, Diao Fan, Dongfa Ouyang, Gaoqiang Deng, Yonghui Yang, Bo Zhang. Zhaoji Li, A Snapback-Free and Low-Loss Shorted-Anode SOI LIGBT With Self-Adaptive Resistance, IEEE Transactions on Electron Devices, 2019, 66(3): 1390-1395
27. Xiaorong Luo(*), Da Ma, Qiao Tan, Jie Wei, Junfeng Wu, Kun Zhou, Tao Sun, Qing Liu, Bo Zhang, Zhaoji Li, A Split Gate Power FINFET With Improved ON-Resistance and Switching Performance, IEEE Electron Device Letters, 2016.09, 37(9): 1185~1188
28. Xiaorong Luo (*), Qingyuan He, Tian Liao, Jie Wei, Gaoqiang Deng, Tao Sun, Jian Fang, Fei Yang. 4H-SiC superjunction trench MOSFET with reduced saturation current, Superlattices and Microstructures, 2019, 125: 58-65
29. Xiaorong Luo(*), Zheyan Zhao, Linhua Huang, Gaoqiang Deng, Jie Wei, Tao Sun, Bo Zhang. A Snapback-Free Fast-Switching SOI LIGBT With an Embedded Self-Biased n-MOS, IEEE Transactions on Electron Devices, 2018, 65(8): 3572~3576
【会议论文】
1. Jie Wei, Yuxi Wei, Juan Lu, Xiaosong Peng, Zhuolin Jiang, Kemeng Yang and Xiaorong Luo, Experimental Study on Electrical Characteristics of Large-Size Vertical β-Ga2O3 Junction Barrier Schottky Diodes, 2022 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), 2022, 97-100
2. Jie Wei, Zhen Ma, Xiaorong Luo, Congcong Li, Gaoqiang Deng, Hua Song, Kaiwei Dai, Yanjiang Jia, Dezun Liao, Sen Zhang, and Bo Zhang. Experimental Study of Ultralow On-resistance Power LDMOS with Convex-shape Field Plate Structure [C], 2021 33rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), Nagoya, 2021,87-90 (Oral)
3. Jie Wei, Xiaorong Luo(*), Da Ma, Junfeng Wu, Zhaoji Li, Bo Zhang. Accumulation mode triple gate SOI LDMOS with ultralow on-resistance and enhanced transconductance, 28th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), 2016.06.12-2016.06.16 (Oral)
4. Jie Wei, Xiaorong Luo(*), Yanhui Zhang, Pengcheng Li, Kun Zhou, Zhaoji Li, Dameng Lei, Fanzhou He, Bo Zhang. Accumulation-Mode High Voltage SOI LDMOS with Ultralow Specific On-resistance, 27th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), 2015.05.10-2015.05.14
5. Jie Wei, Xiaorong Luo(*), Xianlong Shi, Ruichao Tian, Bo Zhang, Zhaoji Li. An improved on-resistance high voltage LDMOS with junction field plate, 26th IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), Hawaii, 2014.06.15-2014.06.19
6. Xiaorong Luo(*), Sen Zhang, Jie Wei(*), Yang Yang, Wei Su, Diao Fan, Congcong Li, Zhaoji Li, and Bo Zhang. A Low Loss and Low On-state Voltage Superjunction IGBT with Depletion Trench [C], 2020 32th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), Vienna, 2020 (Oral)
7. Jie Wei, Zhen Ma, Congcong Li, Kaiwei Dai, Xiaorong Luo, and Bo Zhang. “Novel Ultralow On-resistance Accumulation-mode LDMOS with Integrated Diodes,” 2021 5th IEEE Electron Devices Technology & Manufacturing Conference (EDTM), pp. 337-339, 2021 (Oral)
8. Jie Wei, Kaiwei Dai, Zhen Ma, and Xiaorong Luo. “Optimized Layout for Lateral Power Device with Improved Tradeoff between High Voltage and Low On-resistance,” 2022 6th IEEE Electron Devices Technology & Manufacturing Conference (EDTM), pp. 36-38, 2022 (Oral)
9. Jie Wei, Pengchen Zhu, Kemeng Yang, Kaiwei Dai, Jie Li, and Xiaorong Luo, “Ultralow Loss Lateral Insulated Gate Bipolar Transistor with U-shape Trench Anode”, 2022 IEEE 16th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology, 2022 (Oral)
【专利】
1. 魏杰, 马臻, 黄俊岳, 王晨霞, 鲁娟, 郗路凡, 宋旭, 罗小蓉, 杨永辉, 朱坤峰. 一种多槽栅横向高压功率器件制造方法[P]. 中国, 发明专利, ZL201910805736.9, 2020年8月28日
2. 魏杰, 马臻, 郗路凡, 罗小蓉, 张波. 一种集成齐纳二极管的SOI LIGBT器件[P]. 中国, 发明专利, ZL202010901059.3, 2021年5月14日
3. 魏杰, 郗路凡, 马臻, 罗小蓉, 张波. 一种集成有齐纳二极管和集电极PMOS结构的功率器件[P]. 中国, 发明专利, ZL202010898990.0, 2021年6月8日
4. 魏杰, 郗路凡, 马臻, 罗小蓉, 张波. 一种具有自适应性的SOI LIGBT器件[P]. 中国, 发明专利, ZL202010899021.7, 2021年5月14日
5. 魏杰, 黄俊岳, 马臻, 王晨霞, 鲁娟, 郗路凡, 宋旭, 罗小蓉, 杨永辉, 朱坤峰. 一种高速低损耗的多槽栅高压功率器件[P]. 中国, 发明专利, ZL201910805724.6, 2021年3月30日
6. 魏杰, 邓思宇, 郗路凡, 孙涛, 贾艳江, 廖德尊, 张成, 罗小蓉. 一种具有钝化层渐变氟离子终端的GaN HMET器件[P]. 中国, 发明专利, CN202110038284.3, 2021年1月13日
7. 魏杰, 李杰, 戴恺纬, 马臻, 李聪聪, 罗小蓉, 一种横向功率器件[P]. 中国, 发明专利, CN202110175348.4, 2021年2月9日
8. 魏杰, 戴恺纬, 李杰, 马臻, 李聪聪, 罗小蓉, 一种高压低阻功率LDMOS[P]. 中国, 发明专利, ZL202110175351.6, 2021年2月9日
9. 魏杰，戴恺纬，李杰，杨可萌，马臻，孙燕，罗小蓉，一种自适应低损耗功率器件，中国，发明专利，CN202110829052.X，2021-07-22
10. 魏杰，廖德尊，张成，罗小蓉，邓思宇，贾艳江，孙涛，郗路凡，一种具有倒梯形槽的垂直GaN二极管，中国，发明专利，CN202111000769.X，2021-08-30
11. 魏杰，李杰，戴恺纬，马臻，杨可萌，罗小蓉，一种具有多浮空场板的自适应SOI LIGBT器件，中国，发明专利，CN202111015593.5，2021-08-31
12. 魏杰，李杰，戴恺纬，马臻，杨可萌，罗小蓉，一种具有多浮空场板和集电极PMOS结构的功率器件，中国，发明专利，CN202111015795.X，2021-08-31
13. 魏杰、廖德尊、张成、邓思宇、贾艳江、孙涛、郗路凡、赵智家、罗小蓉，一种集成续流沟道二极管的垂直GaN MOSFET，中国，发明专利，CN202210078228.7，2022-01-24
14. 魏杰、贾艳江、孙涛、郗路凡、邓思宇、赵智家、张成、廖德尊、罗小蓉，一种双异质结GaN RC-HEMT器件，中国，发明专利，CN202210377549.7，2022-04-12
15. 魏杰、赵智家、彭小松、杨可萌、孙涛、郗路凡、邓思宇、廖德尊、张成、贾艳江、罗小蓉，一种具有渐变掺杂阶梯氟离子终端的GaN HEMT器件，中国，发明专利，CN202210829743.4，2022-07-15
16. 魏杰、赵智家、邓思宇、杨可萌、郗路凡、孙涛、廖德尊、张成、贾艳江、罗小蓉，一种具有渐变掺杂阶梯氟离子终端的GaN HEMT器件的制造方法，中国，发明专利，CN202210829590.3，2022-07-15
17. 魏杰、戴恺纬、朱鹏臣、王俊楠、杨可萌、罗小蓉、孙燕，一种横向低功耗功率器件，中国，发明专利，CN202211163432.5，2022-09-23
18. 魏杰、朱鹏臣、王俊楠、杨可萌、戴恺纬、李杰、卢金龙、罗小蓉，一种自适应性高压低损耗功率器件，中国，发明专利，CN202211453126.5，2022-11-21
19. 魏杰、朱鹏臣、王俊楠、杨可萌、戴恺纬、李杰、卢金龙、罗小蓉，一种自适应性高压低损耗功率器件，中国，发明专利，CN202211453120.8，2022-11-21
20. 魏杰、彭小松、魏雨夕、邓鸿儒、蒋卓林、郝琳瑶、赵凯、罗小蓉，集成续流肖特基二极管的横向增强型氧化镓场效应晶体管，中国，发明专利，CN202211553448.7，2022-12-06
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| 专业研究方向：
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| 专业名称 |
研究方向 |
招生类别 |
| 140100集成电路科学与工程 |
01微电子器件与集成电路 |
博士学术学位 |
| 085400电子信息 |
01微电子器件与集成电路，03微电子器件与集成电路（非全） |
博士专业学位 |
| 140100集成电路科学与工程 |
01微电子器件与集成电路 |
硕士学术学位 |
| 085403集成电路工程 |
01微电子器件与集成电路 |
硕士专业学位 |
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